瑞萨电子推出650伏氮化镓场效应晶体管，推动高效电源转换技术

在电源转换技术不断进步的瑞萨背景下，瑞萨电子(RenesasElectronics)近日推出了三款新型650伏氮化镓场效应晶体管(GaN FET)，电推氮化动高专注于满足数据中心、出伏工业以及电动交通应用对高效能和高密度电源转换的镓场晶体需求。这三款晶体管支持功率范围从1千瓦到10千瓦及以上，效应效电适用于各种新兴的管推800伏高压直流拓扑结构。

随着人工智能(AI)、源转电动汽车(EV)和可再生能源的换技迅猛发展，对于高效电源解决方案的瑞萨需求日益增加。瑞萨电子的电推氮化动高最新产品被设计用于AI服务器电源、快速电动汽车充电器中的出伏图腾柱功率因数校正(PFC)、不间断电源(UPS)系统以及太阳能和储能系统的镓场晶体逆变器设计中，这些应用场景对电源转换效率提出了更高的效应效电要求。

瑞萨电子的管推氮化镓FET基于其最新的Gen IV Plus平台，采用了创新的源转级联配置。这种配置将耗尽型GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)与低电压硅MOSFET结合在一起，形成了一个常闭设备。通过这种结构，瑞萨电子有效地消除了对定制GaN门极驱动器的需求，使得产品更易于集成到现有的基于硅的门极驱动器电路中。这一创新不仅简化了系统设计，还显著降低了系统的复杂性和成本，为广大设计工程师提供了更加灵活和经济的解决方案。

为了适应不同的热管理和布局需求，瑞萨电子为其Gen IV Plus设备提供了三种封装选项：TO-247、TOLL和TOLT。其中，TO-247封装具备增强的热容量和通孔安装设计，特别适合于高功率系统的应用，能够有效管理设备在高负载下的散热需求。这种多样化的封装选择使得工程师能够根据具体应用场景的要求，选用最合适的产品，从而进一步提升系统的整体性能。

瑞萨电子的650伏氮化镓场效应晶体管在高效电源转换领域的推出，标志着在电源管理解决方案上迈出了重要的一步。随着全球对可持续发展和能源效率的关注加剧，这些新产品预计将在数据中心、工业自动化、电动交通及可再生能源等多个领域得到广泛应用。

此外，随着电动汽车和可再生能源市场的快速增长，对高性能电源转换器的需求将进一步推动氮化镓技术的应用普及。瑞萨电子通过提供高效率、低成本的解决方案，力求在这一市场中占据领先地位。

浮思特科技深耕功率器件领域，为客户提供IGBT、IPM模块等功率器件以及单片机(MCU)、触摸芯片，是一家拥有核心技术的电子元器件供应商和解决方案商。

(责任编辑：热点)